STL90N3LLH6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL90N3LLH6技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时承载90A大电流、却将导通电阻降至仅4.5毫欧的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃与能效革命？这正是STL90N3LLH6为您呈现的卓越价值。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体尖端STripFET VI技术与DeepGATE工艺的结晶，专为在高频、高效率场景下释放全部潜能而设计。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要瞬间爆发力的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中对可靠性与紧凑性并重的应用，STL90N3LLH6都能游刃有余。其30V的漏源电压与高达90A的连续电流能力，为中等电压平台提供了坚固的基石。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，极低的导通电阻意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更长的电池续航、更小的散热器尺寸以及更低的系统总成本。其PowerFlat（5x6）超薄封装，更是为空间受限的现代电子设备提供了理想的解决方案，让高功率密度设计变得触手可及。

选择STL90N3LLH6，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它拥有-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。极低的栅极电荷（仅17nC @ 4.5V）和输入电容，显著降低了开关损耗，让高频开关操作更加轻松高效，从而提升整体系统效率。当您致力于打造下一代更具竞争力的电源、电机控制或负载开关产品时，这颗芯片所提供的性能余量与能效优势，将成为您产品脱颖而出的关键。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们的合作伙伴专业的ST代理商将为您提供全程服务。让STL90N3LLH6成为您强大、高效且可靠的设计核心，共同开启能效新篇章。

型号:STL90N3LLH6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:最后售卖
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持紧凑尺寸的功率开关解决方案？STL90N3LLH6正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，在仅4.5毫欧的超低导通电阻下，可连续通过高达90A的电流，让您的电源转换或电机驱动应用损耗更低、发热更少、运行更凉爽。

它采用创新的DeepGATE工艺和PowerFlat超薄封装，不仅实现了优异的电气性能，还极大地节省了PCB空间，非常适合对功率密度有苛刻要求的现代电子设备。其优化的栅极电荷特性，让您能轻松实现高频开关，从而构建出更高效、更紧凑的最终产品。选择STL90N3LLH6，就是为您的设计注入强劲而高效的核心动力。