STL90N6F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL90N6F7技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界，您是否还在为功率密度与散热效率的平衡而烦恼？当每一瓦损耗都意味着性能的妥协与成本的增加，一颗优秀的功率MOSFET就是您破局的关键。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的革新之作STL90N6F7，它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的同步整流、电机驱动或DC-DC转换器中，这颗芯片能够以低至5.4毫欧的导通电阻，轻松驾驭高达90A的连续电流。这意味着在相同的电流负载下，由它产生的热量将大幅减少，系统运行更加凉爽稳定。其采用的先进STripFET F7技术与独特的PowerFlat 5x6封装，在提供卓越电气性能的同时，实现了超低的封装寄生电感和出色的散热能力，让您的设计在紧凑的空间内也能释放澎湃动力。无论是面对严苛的工业环境还是追求轻薄便携的消费电子应用，它都能游刃有余。

选择STL90N6F7，就是选择了一份可靠与高效。它高达60V的漏源电压和175°C的结温，赋予了系统强大的过载与高温耐受性，确保在波动工况下的长期稳定运行。极低的栅极电荷和输入电容，使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用，能显著提升电源的整体转换效率。当您需要可靠的原厂正品与专业的技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STL90N6F7成为您下一代高性能电源与驱动设计的核心，共同开启高效、可靠、紧凑的电力电子新篇章。

型号:STL90N6F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），94W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找那颗能同时满足高效率、高功率密度和出色散热需求的“全能型”MOSFET吗？STL90N6F7正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的STripFET F7技术，拥有仅5.4毫欧的超低导通电阻，能轻松处理高达90A的连续电流，大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

这颗N沟道MOSFET采用创新的PowerFlat封装，不仅节省宝贵的PCB空间，其优异的散热性能更能确保在高达175°C的结温下稳定工作。无论是用于提升服务器电源的转换效率，还是驱动高性能电动工具电机，STL90N6F7都能以更快的开关速度、更低的栅极驱动需求，助您轻松构建更紧凑、更可靠、性能更出众的电力电子系统。