STL9N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL9N60M2技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率密度和开关损耗的平衡而烦恼？现在，答案来了。意法半导体推出的STL9N60M2，正是为破解这一难题而生的高性能解决方案。它不仅仅是一个MOSFET，更是MDmesh II Plus技术家族的杰出代表，将600V的耐压能力与卓越的开关性能融为一体，为您带来前所未有的设计自由度和系统可靠性。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，一颗芯片就能显著提升整体效率。这正是STL9N60M2的用武之地。其极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），意味着更低的传导损耗和开关损耗，让您的设备在运行时更凉爽、更安静，同时将更多电能高效地输送给负载。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业驱动中的电机控制，它都能游刃有余，确保系统在严苛环境下稳定运行。

选择STL9N60M2，就是选择了一份经得起验证的品质与性能保障。其采用的PowerFlat 5x6 HV封装，在提供出色散热能力的同时，大幅节省了PCB空间，让您的产品设计可以更加纤薄精巧。高达150°C的结温（TJ）和48W的功率耗散能力，赋予了它强大的过载和高温工作韧性。当您需要可靠、高效的功率开关元件时，从值得信赖的ST代理商处获取STL9N60M2，无疑是迈向成功产品设计的关键一步。它不仅仅降低了您的系统成本，更通过提升能效和可靠性，为您产品的市场竞争力增添了重量级砝码。

型号:STL9N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）HV
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:860 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:48W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找一颗能同时兼顾高耐压、低损耗和紧凑尺寸的功率开关吗？STL9N60M2正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和4.8A的连续电流能力，专为提升开关电源和功率转换应用的效率而生。

它的核心价值在于，极低的860毫欧导通电阻和仅10nC的栅极电荷，能显著降低您的系统在导通和开关过程中的能量损耗。这意味着，您设计的设备将运行得更高效、更凉爽，直接帮助您优化能效指标并简化散热设计。同时，其小巧的PowerFlat HV封装让您轻松实现高功率密度的紧凑布局，为产品小型化开辟了新的可能。