STL9P2UH7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STL9P2UH7技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为散热、空间和效率的平衡而烦恼？想象一下，一颗仅3.3x3.3毫米的芯片，却能以高达9A的连续电流和仅22.5毫欧的超低导通电阻，为您的设备注入澎湃而精准的动力。这就是STL9P2UH7，来自ST意法半导体STripFET家族的P沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您实现产品小型化与高性能梦想的得力引擎。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是对空间极其敏感的无人机飞控系统，亦或是智能穿戴设备中精细的电源路径管理，STL9P2UH7都能游刃有余。其PowerFlat超薄封装，完美解决了传统封装占板面积大、散热路径长的痛点，让您的PCB布局前所未有的灵活与简洁。高达150°C的结温工作能力，意味着它在严苛环境下依然稳定可靠，为您的产品品质保驾护航。当您需要为电池供电设备选择一款高效、可靠的开关或保护器件时，这颗芯片就是那个能让设计化繁为简的关键。

选择STL9P2UH7，就是选择了一种经过市场验证的高性能解决方案。它继承了STripFET技术的优良基因，在1.5V的低驱动电压下即可实现优异的导通特性，极大地简化了驱动电路设计，降低了整体系统功耗。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在特定存量项目和备件市场中依然极具价值。对于正在寻找可靠、高性能P-MOSFET的工程师而言，通过与专业的ST中国代理合作，您依然可以获取到高质量的货源和全面的技术支持，确保您的项目顺利推进。让STL9P2UH7成为您经典设计中那颗不可或缺的“心脏”，持续为终端产品创造稳定高效的价值。

型号:STL9P2UH7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（3.3x3.3）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.9W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找一颗能同时搞定大电流、低损耗和小体积的P沟道MOSFET吗？STL9P2UH7正是为您而来的解决方案。这颗芯片能轻松驾驭高达9A的连续电流，而其超低的22.5毫欧导通电阻，能显著减少开关和传导过程中的功率损耗，直接提升您设备的整体能效和续航时间。

它采用先进的PowerFlat封装，面积仅3.3x3.3毫米，厚度极薄，让您能在寸土寸金的电路板上实现更紧凑、更优雅的布局。无论是用于负载开关、电机驱动还是电源反向保护，STL9P2UH7都能以出色的热性能和高达150°C的工作结温，确保系统在各种工况下的稳定与可靠。选择它，就是为您的设计注入一份高效与安心的保障。