STLD125N4F6AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STLD125N4F6AG技术参数详情：

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在保持极致紧凑的同时，释放出120A的澎湃动力？这正是STLD125N4F6AG为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET F6家族的明星成员，这颗N沟道功率MOSFET以其革命性的低导通电阻和超凡的电流处理能力，正在重新定义高效率、高功率密度设计的边界。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现性能飞跃、缩小体积、降低热损耗的关键引擎。

无论是面对迅猛发展的电动汽车车载充电器(OBC)、DC-DC转换器，还是对空间和效率都极为苛刻的服务器电源、工业电机驱动，STLD125NF6AG都能游刃有余。其高达40V的漏源电压和120A的连续漏极电流，为处理大功率瞬态提供了坚实的保障。在电动工具、无人机电调等需要瞬间爆发力的应用中，它能确保动力输出强劲而稳定。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，更是让它无惧严寒酷暑，在工业自动化、户外能源设备等严苛环境中依然可靠运行，成为工程师应对多样化挑战的可靠伙伴。

选择STLD125N4F6AG，就是选择了一种面向未来的设计哲学。其采用的先进PowerFlat（5x6）双面封装，不仅实现了超低的3毫欧典型导通电阻，极大降低了导通损耗，还通过卓越的散热设计将热阻降至新低，让您的系统在高效运行的同时保持“冷静”。极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，能显著提升整体系统效率。当您寻求顶级的功率解决方案时，与值得信赖的ST芯片代理合作，确保获得正品货源与专业的技术支持，是项目成功的重要一环。让STLD125N4F6AG成为您下一个明星产品的“动力心脏”，共同开启高效、紧凑、可靠的新篇章。

型号:STLD125N4F6AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（5x6）双面
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:130W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（5x6）双面
封装/外壳:8-PowerWDFN
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您正在为寻找一颗既能承载大电流，又拥有极低损耗，还能节省宝贵PCB空间的功率开关而烦恼吗？STLD125N4F6AG正是为您量身打造的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了120A的高电流处理能力与仅3毫欧的超低导通电阻，能显著降低您电源转换或电机驱动电路中的导通损耗，直接提升系统效率，让热量管理变得更轻松。

它采用创新的PowerFlat封装，在极小的占板面积下实现了双面散热，让您在设计高功率密度产品时游刃有余。无论是用于提升电动工具的爆发力，还是优化服务器电源的能效，STLD125N4F6AG都能以卓越的电气性能和热性能，助您打造出更高效、更紧凑、更具竞争力的下一代产品。