STN1NF20 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STN1NF20技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的电子世界中，您是否正在为寻找一款性能可靠、性价比出众的功率开关器件而烦恼？想象一下，一个关键元件既能承载高压，又能保持极低的导通损耗，这无疑能为您的电源转换、电机驱动或负载开关应用注入强大动力。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的杰出力作STN1NF20，这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，正是您优化设计、提升产品竞争力的理想选择。

它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您实现高效能量控制的得力助手。凭借高达200V的漏源电压和1A的连续漏极电流能力，STN1NF20在开关电源的初级侧、小功率电机控制、LED照明驱动以及各类需要快速开关的电路中游刃有余。其低至1.5欧姆的导通电阻（在10V驱动下），意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的运行时间。无论是为智能家居设备提供稳定的电源，还是在工业控制模块中实现精准的功率切换，它都能确保您的设计在性能和可靠性上脱颖而出。

选择STN1NF20，就是选择了一份来自世界级半导体制造商的品质承诺。其紧凑的SOT-223封装，完美适配高密度PCB布局，帮助您节省宝贵的板级空间。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，让您的产品无惧挑战。更重要的是，通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能得到及时的技术支持和供货稳定性，让您的项目从研发到量产全程无忧。立即将这颗高效能引擎融入您的下一个创新设计吧！

型号:STN1NF20
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:SOT-223
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:90 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2W（Ta）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-223
封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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您是否希望为您的电路找到一颗既能高效开关又能节省空间的“心脏”？STN1NF20正是这样一款专为 demanding 应用而生的N沟道MOSFET。它基于意法半导体成熟的STripFET II技术，为您带来200V高压耐受和1A电流处理能力的可靠组合。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的功率转换与控制。其低至1.5欧姆的导通电阻和仅5.7nC的低栅极电荷，显著降低了开关损耗和驱动需求，从而提升整体系统能效。无论是用于AC-DC适配器、小功率电机驱动还是LED驱动，STN1NF20都能以紧凑的SOT-223封装，帮助您设计出更小巧、更节能、更可靠的产品。