STN1NK80Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STN1NK80Z技术参数详情：

当您需要一款能在高压环境中稳定运行，同时兼顾紧凑设计与高效表现的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STN1NK80Z这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争力的关键伙伴。源自意法半导体备受赞誉的SuperMESH技术平台，这颗芯片天生就为应对严苛挑战而生，其800V的漏源电压能力，如同为您的电路系统构筑了一道坚固的防线，让高压波动不再是设计的噩梦。

想象一下，在那些对空间和可靠性要求都极为苛刻的应用场景里，比如紧凑型开关电源的初级侧、LED驱动、家用电器辅助电源或是工业控制模块，STN1NK80Z的价值将得到淋漓尽致的展现。它采用小巧的SOT-223封装，却能轻松处理高达2.5W的功率耗散，在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，这意味着您的产品可以适应从酷寒到炎热的多样化环境，可靠性大幅提升。其低至7.7nC的栅极电荷和优化的导通电阻，直接转化为更快的开关速度和更低的导通损耗，让您的电源系统效率更高，温升更低，整体性能更加静默而强大。

选择STN1NK80Z，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与持续的技术支持。它不仅能帮助您简化电路设计，减少外围元件，更能加速您的产品上市进程。当您需要获取样品、技术资料或批量采购支持时，遍布全球的ST代理网络随时准备为您提供专业、高效的服务。无论是追求极致效率的工程师，还是关注供应链稳定的采购专家，这颗集高性能、高可靠性与高性价比于一身的MOSFET，都是您打造下一代明星产品时不容错过的明智之选。让它成为您设计蓝图中的核心动力，开启高效、可靠的能量控制新篇章。

型号:STN1NK80Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:SOT-223
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-223
封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在为高压开关电路的设计而烦恼吗？STN1NK80Z正是为您而来的解决方案！这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和250mA的连续电流能力，让您在设计初级侧功率开关、LED驱动或辅助电源时信心十足，轻松应对高压挑战。

它采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，却能高效管理2.5W的功率。其优化的动态参数，如低栅极电荷和合理的导通电阻，确保了快速、干净的开关行为，能显著提升您的系统效率并降低电磁干扰。选择它，意味着您选择了一个在-55°C到150°C全温度范围内都表现稳定的可靠伙伴，让您的产品在各种严苛环境下都能持久、高效地运行。