STN3N40K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STN3N40K3技术参数详情：

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为功率器件的性能与体积而妥协？想象一下，一颗能够轻松驾驭400V高压、同时保持极低导通损耗的MOSFET，将如何彻底改变您的产品设计格局。现在，这一切不再是想象，STN3N40K3的到来，正是为了满足您对高性能与高集成度的双重渴望。

源自意法半导体备受赞誉的SuperMESH3技术平台，这颗芯片天生就流淌着高效的血液。其核心优势在于，在400V的漏源电压下，仅需10V的驱动电压即可实现优异的导通性能，导通电阻低至3.4欧姆。这意味着什么？意味着更低的开关损耗和导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。无论是面对持续1.8A的电流挑战，还是在-55°C到150°C的严苛温度范围内，它都能稳定可靠地工作，将功率耗散精准控制在3.3W以内，为您产品的长期稳定运行奠定了坚实基础。

这种卓越的性能，让STN3N40K3在众多应用场景中游刃有余。它无疑是离线式开关电源（SMPS）、LED驱动电源以及家用电器辅助电源的理想心脏。在您的下一个充电器、适配器或智能照明驱动项目中，集成这颗采用SOT-223封装的表面贴装器件，不仅能大幅节省PCB空间，实现更纤薄的产品设计，其极低的栅极电荷（仅11nC）和输入电容，更能简化您的驱动电路设计，让开关速度更快，系统响应更迅捷。选择它，就是选择了一条通往高效、紧凑、可靠产品设计的捷径。

当您决定为项目注入这颗强劲“芯”脏时，确保供应链的顺畅与可靠至关重要。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能够为您提供原装正品的STN3N40K3，更能带来专业的技术支持与稳定的供货保障。从性能参数到应用方案，从样品测试到批量生产，我们全程陪伴，让您的创新之路再无后顾之忧。立即体验SuperMESH3技术带来的能效飞跃，让STN3N40K3成为您产品在市场竞争中脱颖而出的秘密武器。

型号:STN3N40K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:SOT-223
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 欧姆 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3.3W（Ta）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-223
封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效能和节省空间的功率开关吗？STN3N40K3正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的SuperMESH3技术，拥有400V的漏源电压和1.8A的连续电流能力，让您能在AC-DC电源转换、LED驱动等应用中轻松应对高压环境，同时凭借低至3.4欧姆的导通电阻，显著降低功耗，提升系统整体能效。

这颗芯片的卓越之处还在于其易用性。仅需10V驱动电压即可充分发挥性能，且栅极电荷极低，让您的驱动电路设计更简单、开关更迅速。采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，它能帮助您最大化节省宝贵的PCB板空间，实现更小巧、更集成的产品设计。选择STN3N40K3，就是选择了一条通往更高性能、更高可靠性与更优成本效益的清晰路径。