STN4NF06L - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STN4NF06L技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，如何为您的电源管理或负载开关应用找到那颗兼具性能与可靠性的“心脏”？答案或许就藏在STN4NF06L之中。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET II技术，为您带来低导通电阻与高开关效率的完美平衡，让能量转换过程更顺畅，损耗更低，直接助力您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

想象一下，无论是紧凑型AC-DC适配器、高效的DC-DC转换模块，还是需要精准控制的电机驱动、负载开关电路，STN4NF06L都能轻松胜任。其60V的漏源电压和4A的连续漏极电流能力，为中小功率应用提供了坚实的保障。在空间受限的PCB板上，SOT-223封装展现出巨大优势，它既能实现高效的表面贴装，又能通过其散热片设计有效管理热量，确保在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内稳定运行。这意味着，从消费电子到工业控制，您的设计都能获得更高的集成度和可靠性。

选择STN4NF06L，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与设计自由度。其低至100毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下）和仅9nC的低栅极电荷，显著降低了导通损耗和开关损耗，让您的系统整体效率大幅提升。驱动门槛低至2.8V，使其能与多种逻辑电平轻松接口，简化驱动电路设计。当您需要可靠的原厂正品和及时的技术支持时，可以联系专业的ST代理商，他们能为您提供从选型到供应的全程服务。这颗芯片不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现高效稳定运行的强大助力，立即将它纳入您的设计，开启高效能的新篇章。

型号:STN4NF06L
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:SOT-223
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-223
封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在为寻找一颗能兼顾高效能与紧凑体积的功率开关而烦恼吗？让STN4NF06L来为您解决难题！这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和4A电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅100毫欧@10V）和栅极电荷，能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更冷静、更高效。

它采用易于焊接和散热的SOT-223封装，非常适合空间紧凑的现代电子设备。无论是用于提升适配器能效，还是实现精密的负载开关控制，STN4NF06L都能让您的设计轻松获得更高的可靠性和更优的整体性能，是工程师实现高效功率管理的理想选择。