STO36N60M6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STO36N60M6技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能在600V高压下稳定运行，同时将导通电阻压至毫欧级别的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，这一切不再是想象，STO36N60M6的到来，正是为了解答这个难题。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh M6技术家族的杰出代表，以其卓越的电气性能和坚固的可靠性，为高效能源转换树立了新的标杆。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，STO36N60M6都能游刃有余。其600V的漏源电压和30A的连续漏极电流，赋予了它应对严苛高压大电流环境的强大底气。而TOLL（HV）封装不仅实现了紧凑的表面贴装，节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能确保器件在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，将高达230W的功率耗散轻松驾驭，让您的系统设计告别过热风险，运行更持久、更安静。

选择STO36N60M6，就是选择了一份面向未来的投资。其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg）的完美平衡。这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，系统整体效率得到显著提升，直接转化为更低的运营成本和更绿色的产品足迹。同时，其稳健的驱动特性（Vgs(th)最大值4.75V）和宽泛的栅源电压耐受范围（±25V），让驱动电路设计更加简单可靠。当您需要将这份卓越性能快速集成到项目中时，可以信赖专业的ST代理商，他们能提供从技术支援到稳定供货的全链条服务。让STO36N60M6成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启能效革命的新篇章。

型号:STO36N60M6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TOLL（HV）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 30A TOLL
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:230W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TOLL（HV）
封装/外壳:8-PowerSFN
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您是否正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效开关与出色散热能力的功率开关？STO36N60M6正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V/30A的强悍规格，其核心使命就是让您的电源转换系统运行得更冷静、更高效。

它通过将导通电阻（Rds(on)）降至极低水平，显著减少了导通损耗，同时优化的栅极电荷（Qg）确保了快速、干净的开关动作，从而整体提升系统效率。其创新的TOLL封装不仅节省空间，更提供了卓越的热性能，让您轻松管理功率耗散，确保设备在严苛环境下依然稳定可靠。选择STO36N60M6，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的动力核心。