STO67N60DM6

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，如果有一款功率器件，能够将导通电阻与开关性能的平衡推向新的高度，让您的系统在高效运行的同时，温度更低、寿命更长，这将是怎样的飞跃？现在，这个答案已经揭晓来自ST意法半导体MDmesh DM6家族的STO67N60DM6，正是为满足这一苛刻需求而生的卓越解决方案。

它不仅仅是一个参数表上的数字。当您将它应用于服务器电源、工业电机驱动或高功率密度充电桩时，其600V的耐压和33A的连续电流能力，为您提供了坚固可靠的能量控制基石。更令人振奋的是，其低至59毫欧的导通电阻，意味着在高压大电流工作状态下，由导通产生的热量被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的散热成本。无论是面对严苛的工业环境，还是追求静音与紧凑的家用电器，这颗芯片都能让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

为什么越来越多的工程师在高压开关应用中选择它？关键在于其背后MDmesh DM6技术的深厚底蕴。这项技术通过优化单元结构和工艺，在降低栅极电荷（Qg）和输出电容方面取得了显著突破。这意味着STO67N60DM6在高速开关时，驱动损耗更低，开关速度更快，从而显著降低了系统的整体开关损耗。对于您而言，这不仅简化了驱动电路的设计，更让实现更高的开关频率成为可能，为电源系统的小型化和轻量化铺平了道路。选择它，就是选择了一种经过市场验证的、能够直接提升产品竞争力的技术路径。

从TOLL（HV）封装带来的优异散热性能和紧凑占板面积，到宽达-55°C至150°C的工作结温范围，每一个细节都体现了对高可靠性应用的深思熟虑。当您致力于打造下一代高效、紧凑且耐用的电力电子设备时，STO67N60DM6所提供的不仅仅是卓越的电气特性，更是一份让设计游刃有余的信心保障。如需获取样品或技术支持，我们的合作伙伴ST代理将为您提供专业及时的服务。立即采用，开启您电源设计的高效新时代。

• 型号:STO67N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 33A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 23.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的高压开关管？STO67N60DM6正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh DM6技术，为您带来低至59毫欧的导通电阻和优化的动态性能，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗N沟道MOSFET拥有600V/33A的强劲规格，采用散热优异的TOLL封装，让您能轻松应对服务器电源、工业驱动、UPS及新能源充电设备等高压应用挑战。其优异的开关特性有助于提升系统功率密度，简化散热设计，从而加速您的产品上市进程，并赋予终端产品更强的市场竞争力。