STP100N6F7

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为如何平衡高功率密度与系统稳定性而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体STripFET F7系列中的明星产品STP100N6F7，这颗N沟道功率MOSFET将以其卓越的性能，重新定义您对60V、100A应用的想象。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的电机驱动系统中，每一次精准的启停与调速都要求开关器件具备极低的导通损耗和快速的响应能力。STP100N6F7正是为此而生。其低至5.6毫欧的导通电阻（RDS(on)），意味着在高达50A的电流下，它能将能量损耗降至最低，让更多的电能转化为有用的机械能或动力，而不是白白浪费为热量。这不仅直接提升了系统的整体效率，更能让您的散热设计变得更加轻松，设备运行更加凉爽、安静。无论是电动工具、工业自动化中的伺服驱动，还是不断进化的轻型电动车和UPS不间断电源，这颗芯片都能游刃有余地应对高电流冲击，确保系统在严苛工况下依然稳定如山。

选择STP100N6F7，就是选择了一份来自尖端技术与卓越品质的双重保障。它采用了意法半导体先进的STripFET F7技术，在相同的芯片面积下实现了更优的电阻与电荷平衡，这使得它在开关速度与导通损耗之间达到了完美的和谐。仅30nC的低栅极电荷（Qg）让驱动电路的设计更为简化，开关频率得以提升，从而帮助您实现更高功率密度和更紧凑的解决方案。其坚固的TO-220封装和高达175°C的结温工作范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性和环境适应性。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST代理团队随时待命，为您从选型到量产的全过程保驾护航。让STP100N6F7成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的电能驾驭新篇章。

• 型号:STP100N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的“能量开关”吗？STP100N6F7正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达100A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的5.6毫欧导通电阻，能显著降低您在电机驱动、电源转换等应用中的导通损耗，直接提升系统能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它采用先进的STripFET F7技术，优化了栅极电荷与电阻的平衡。这意味着它不仅导通损耗低，开关速度也更快，让您能轻松设计出更高频率、更紧凑的功率电路。无论是应对严苛的工业环境还是追求极致的消费级产品，STP100N6F7都能提供稳定可靠的性能，助您高效实现设计目标，赢得市场先机。