STP100N8F6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP100N8F6技术参数详情：

当您的电源转换系统需要同时驾驭高功率与高效率时，您是否曾为寻找一颗既能承载大电流、又能将导通损耗降至最低的“心脏”而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体STripFET F6系列中的明星产品STP100N8F6。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达100A的连续漏极电流和仅为9毫欧的超低导通电阻，重新定义了80V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体能效、实现更紧凑设计的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，能量每经过一个环节就因器件损耗而白白浪费。STP100N8F6正是为解决这一痛点而生。其卓越的Rds(on)特性意味着在导通状态下，电能可以更顺畅地通过，转化为更少的热量，从而让您的设备运行得更凉爽、更稳定。无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致效率的通信基础设施，它都能游刃有余，确保动力核心坚若磐石。选择它，就是为您的关键应用上了一道可靠的保险。

那么，在众多功率器件中，为何STP100N8F6能脱颖而出？首先，其TO-220封装兼顾了出色的功率耗散能力（高达176W）与成熟的通孔安装工艺，为散热设计和生产组装提供了极大的便利。其次，宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）赋予了它无与伦比的环境适应性，从容应对从寒带到热带的挑战。更重要的是，通过ST中国代理，您可以便捷地获得这颗源自意法半导体尖端STripFET F6技术的原装正品，享受从技术选型到供应链支持的全方位服务。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的战略伙伴。立即采用STP100N8F6，开启高效、可靠的电能驾驭之旅。

型号:STP100N8F6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5955 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:176W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？让STP100N8F6为您带来改变。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有80V的耐压和高达100A的电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅9毫欧@10V）。这意味着它能显著降低开关和导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效，让热量更少，性能更持久。

得益于先进的STripFET F6技术，它能在10V的标准驱动电压下轻松实现高效开关，同时保持极低的栅极电荷。这为您带来了双重好处：一方面降低了驱动电路的负担，让设计更简单；另一方面提升了开关速度，让系统响应更迅捷。无论是用于构建高效的同步整流电路，还是驱动高功率的直流电机，STP100N8F6都能让您以更低的系统复杂度和更高的可靠性，达成设计目标。