STP10N65K3

在追求更高能效与可靠性的电源设计领域，您是否正在寻找一款能够平衡高性能与成本效益的功率开关解决方案？今天，我们为您带来一款历经市场验证的经典之选STP10N65K3。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其650V的高耐压和10A的连续电流能力，为众多中高功率应用场景注入了强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的可靠伙伴。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或是UPS不间断电源系统中，对功率器件的开关损耗和导通电阻有着近乎苛刻的要求。STP10N65K3凭借其优化的1欧姆导通电阻（在10V驱动下），能够显著降低导通损耗，让能量转换更加高效。其高达150W的功率耗散能力，配合TO-220经典的封装形式，确保了在严苛工作环境下的出色散热与长期稳定运行。这意味着您的设备可以更冷静、更持久地工作，直接提升了终端产品的可靠性和使用寿命。

为何在众多选择中，STP10N65K3值得您的关注？答案在于其卓越的价值平衡。它提供了应对650V高压场景的坚实保障，同时10A的电流处理能力覆盖了广泛的主流应用需求。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、出色的性能以及市场上可观的库存，使其成为许多经典设计升级或特定项目备料的理想选择。通过与值得信赖的ST芯片代理合作，您依然可以便捷地获取这款优质器件，为您的产品供应链增添一份经典而可靠的保障。选择它，就是选择了一份经过时间淬炼的稳定与高效。

• 型号:STP10N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP10N65K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要高效功率切换的电源或电机驱动方案吗？STP10N65K3正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有650V的高压耐受能力和10A的连续电流输出，能轻松应对开关电源、照明镇流器等应用中的严峻挑战。

它的核心价值在于高效与可靠。仅1欧姆的导通电阻（@10V）意味着更低的导通损耗，让您的系统能效显著提升。同时，TO-220封装提供了优秀的散热路径，结合150W的功率耗散能力，确保芯片在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，让您的设计无惧高温环境，运行更加持久耐用。