STP10N80K5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭800V高压和9A电流的功率开关，以其卓越的能效表现，正在重新定义电源转换的边界。这就是来自ST意法半导体的STP10N80K5，它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、可靠电源设计的得力伙伴。

得益于其先进的MDmesh K5技术，这颗芯片在导通电阻和开关性能之间取得了精妙的平衡。其低至600毫欧的导通电阻，意味着在传导过程中更少的能量以热量的形式被浪费，直接提升了系统的整体效率。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗。这种双管齐下的优势，让它在从服务器电源、工业电机驱动到新能源充电桩等一系列要求严苛的应用场景中游刃有余，轻松应对高功率密度和高温环境的挑战。

选择STP10N80K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其高达130W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品无与伦比的坚固性和长期可靠性。经典的TO-220封装，既保证了优异的散热性能，也简化了您的生产装配流程。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，寻找一家资深的ST芯片代理至关重要，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP10N80K5成为您下一代产品的“能量心脏”，释放更强劲的性能，赢得更广阔的市场。

• 型号:STP10N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STP10N80K5正是为您而来。它集800V的坚固耐压与9A的强劲电流输送能力于一身，凭借其MDmesh K5技术，显著降低了导通和开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的开关电源转换更高效，发热更少；让您的电机驱动响应更迅捷，运行更平稳；让您的充电设备在快速能量的吞吐中依然保持可靠。其优化的动态参数和稳健的TO-220封装，确保系统在严苛环境下长期稳定工作，大幅提升终端产品的市场竞争力。