STP10N95K5 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP10N95K5技术参数详情：

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的稳定性和损耗问题而困扰？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STP10N95K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达950V的漏源电压和8A的连续漏极电流，为您的高压电路构筑起坚实可靠的核心。它不仅仅是一个开关器件，更是提升系统整体效率、确保长期稳定运行的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STP10N95K5正以其SuperMESH5技术的卓越基因，高效地执行着每一次开关动作。其低至800毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更低的功率损耗，直接转化为更少的发热和更高的能源利用率。无论是工业照明驱动、家用电器电源，还是不断电系统（UPS），这颗芯片都能轻松应对高压环境，确保能量转换过程流畅而高效，让您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STP10N95K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术保障与性能承诺。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为简化，开关速度更快，进一步降低了开关损耗。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它卓越的环境适应性和可靠性，确保在各种严苛条件下稳定工作。经典的TO-220封装不仅便于安装和散热，也经过了市场的长期验证。当您需要可靠、高性能的高压MOSFET时，STP10N95K5无疑是您值得信赖的伙伴。为确保您获得正品货源与完善的技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的项目成功增添一份坚实保障。

型号:STP10N95K5
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:130W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高效节能的功率开关核心吗？STP10N95K5正是为您而来。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有950V的高耐压和8A的强电流处理能力，旨在让您的电源转换和电机驱动应用运行得更稳定、更凉爽、更高效。

它的卓越之处在于，能将导通电阻降至仅800毫欧，显著减少导通损耗，直接提升系统整体能效。同时，优化的动态参数让开关过程快速而干净，进一步降低开关损耗。无论是构建紧凑型适配器、工业电源，还是高可靠性UPS，STP10N95K5都能以出色的性能和TO-220封装的便利性，助您轻松实现设计目标，打造更具市场竞争力的产品。