STP110N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP110N10F7技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换世界里，您是否还在为功率器件的损耗和温升而烦恼？想象一下，一个能承载110A强大电流的开关，其导通电阻却低至惊人的7毫欧，这意味着在每一次开关动作中，能量的浪费被压缩到了极致。这正是STP110N10F7为您带来的核心价值它不是一颗普通的MOSFET，而是意法半导体STripFET VII技术与DeepGATE工艺的结晶，专为那些对效率、可靠性和功率密度有严苛要求的应用而生。

无论是服务器电源中需要稳定高效的能量供给，还是工业电机驱动中要求迅猛而精准的扭矩控制，甚至是不断演进的新能源汽车车载充电器(OBC)和DC-DC转换模块，STP110N10F7都能游刃有余。其100V的漏源电压和高达110A的连续电流能力，为系统提供了宽广的安全工作区和强大的功率处理基础。而TO-220的经典封装，则确保了优异的散热性能和便捷的安装方式，让您的设计在功率升级的道路上既稳健又轻松。

选择STP110N10F7，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。极低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗和更凉爽的运行温度，这不仅提升了系统整体效率，也显著延长了设备的使用寿命。其优化的栅极电荷(Qg)特性，让驱动电路的设计更为简单高效，有助于实现更高的开关频率，从而缩小磁性元件的体积，助力您的产品实现小型化和轻量化。面对从-55°C到175°C的宽广结温范围挑战，它依然能保持稳定输出，这种可靠性是工业级和汽车级应用的坚实保障。如果您正在寻找一个值得信赖的功率解决方案伙伴，通过专业的ST芯片代理获取STP110N10F7，无疑是迈向成功设计的关键一步。

型号:STP110N10F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N CH 100V 110A TO-220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:150W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
现在可以订购STP110N10F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否渴望为您的电源或电机驱动项目注入一颗强大的“心脏”？STP110N10F7正是这样一款能彻底改变您产品性能的N沟道功率MOSFET。它基于意法半导体先进的STripFET VII技术，拥有低至7毫欧的超低导通电阻，能轻松驾驭高达110A的连续电流，显著降低系统导通损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计高功率密度应用时充满信心。无论是开关电源、电机控制还是各类功率转换模块，其优异的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关行为，帮助您提升频率、优化效率。TO-220封装提供了可靠的散热路径，结合宽广的工作温度范围，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定持久地工作。