STP120NF10 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP120NF10技术参数详情：

想象一下，您的下一个电源转换或电机驱动项目，能否在保持系统紧凑的同时，承载高达110A的强劲电流？这正是STP120NF10为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET II家族的明星成员，这颗N沟道功率MOSFET以其卓越的性能，正在重新定义高效率与高可靠性的标准。它不仅仅是一个开关，更是您系统动力与效率的坚实保障，让能量流动更顺畅，损耗降至更低。

无论是工业自动化中驱动大型伺服电机，还是数据中心服务器里进行高效的DC-DC电源转换，亦或是新能源领域如太阳能逆变器和车载充电机，STP120NF10都能游刃有余。其100V的漏源电压和高达312W的功率耗散能力，意味着它能轻松应对严苛的电压尖峰和持续大功率工作环境。在电机启动的瞬间，在电源负载突变的时刻，它都能提供稳定可靠的开关性能，确保整个系统平稳运行，无惧挑战。

选择STP120NF10，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。其极低的10.5毫欧导通电阻，直接转化为更少的热量产生和更高的系统整体效率，帮助您降低散热成本，提升产品竞争力。宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定如一。经典的TO-220AB封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺。当您需要这样一颗性能与可靠性兼备的功率器件时，可以通过值得信赖的ST代理商获取正品支持与技术咨询。让STP120NF10成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

型号:STP120NF10
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:312W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STP120NF10正是为您而来！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达110A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅10.5毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它基于先进的STripFET II技术打造，不仅开关速度快，栅极电荷管理优异，更能承受高达312W的功率耗散。这意味着您能轻松应对高负载、高频率的苛刻应用场景，从工业电机控制到高效电源转换，它都能提供稳定可靠的性能。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了其在各种环境下的卓越表现，让您的设计无后顾之忧，高效运行。