STP12N50M2

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STP12N50M2。这款来自意法半导体MDmesh II Plus家族的N沟道MOSFET，以其卓越的500V耐压和10A电流能力，为您的中高功率应用注入强劲而高效的心脏。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的战略选择。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或电机驱动电路中，STP12N50M2正在默默发挥着关键作用。其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），这意味着在相同的工况下，它能显著减少导通损耗和开关损耗，让电能转换过程更加“丝滑”。无论是用于PFC（功率因数校正）电路提升能效，还是在反激、正激等拓扑中担任主开关，它都能确保系统运行更凉爽、更安静，从而大幅提升整机可靠性和寿命。选择它，就是为您的电源设计上了一道坚实的保险。

为什么众多工程师在众多选项中最终锁定了STP12N50M2？答案在于其背后强大的MDmesh II Plus技术。这项技术通过创新的垂直结构，在保持高击穿电压的同时，实现了单位面积下更低的导通电阻。具体到这颗芯片，380毫欧的优异表现配合仅15nC的低栅极电荷，让它在高频开关应用中游刃有余，轻松实现更高的功率密度。其坚固的TO-220封装确保了出色的散热能力，最高结温达150°C，足以应对严苛的工作环境。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，可以信赖专业的ST代理，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STP12N50M2，不仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一个经过市场验证的、能助您产品脱颖而出的可靠伙伴。

• 型号:STP12N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP12N50M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STP12N50M2正是为您的中高功率应用量身打造。它基于意法半导体先进的MDmesh II Plus技术，拥有500V的漏源电压和10A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明系统时底气十足。

这颗芯片的核心使命是让您的系统更高效、更可靠。其极低的导通电阻（仅380毫欧）意味着更小的导通损耗，而优化的低栅极电荷（15nC）则能显著降低开关损耗，帮助您轻松提升整体能效。坚固的TO-220封装确保了出色的散热性能，让您的设备在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定运行，无惧挑战。