STP12NM50N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP12NM50N技术参数详情：

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本和空间时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？答案或许就藏在STP12NM50N这颗强大的功率开关之中。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统能效、简化设计复杂度的得力助手。想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心位置，一颗性能卓越的MOSFET正默默支撑着整个系统的稳定运行，这正是STP12NM50N所扮演的关键角色。

得益于意法半导体先进的MDmesh II技术，这颗芯片在500V的高压和11A的电流下，依然能展现出极低的导通电阻，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。无论是面对工业电机驱动的严苛要求，还是应对消费类电源适配器对体积和成本的限制，它都能游刃有余。其出色的开关特性和坚固的TO-220AB封装，确保了在从-55°C到150°C的宽广温度范围内，性能始终如一，让您的产品在各种环境下都值得信赖。

选择STP12NM50N，就是选择了一份经过市场验证的可靠性。它简化了您的设计流程，让工程师无需在性能与成本之间艰难取舍。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典或特定需求项目的理想选择。对于需要稳定供应和专业技术支持的客户，通过值得信赖的ST代理进行采购，不仅能确保获得正品，还能获得关于库存、替代方案以及应用设计方面的宝贵建议。让这颗集高效、可靠与高性价比于一身的功率MOSFET，成为您下一个成功产品的坚实基石。

型号:STP12NM50N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:100W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您是否正在为高压、高电流的功率转换电路寻找一颗高效、可靠的心脏？STP12NM50N正是为此而生。它能让您轻松驾驭高达500V的电压和11A的连续电流，其核心的MDmesh II技术将导通电阻降至极低水平，显著减少开关损耗和发热，从而让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片具备出色的动态特性，如较低的栅极电荷和输入电容，这意味着它能实现更快的开关速度，让您的系统响应更迅捷，整体性能进一步提升。坚固的TO-220AB通孔封装确保了卓越的散热能力和机械可靠性，轻松应对严苛的工作环境。选择STP12NM50N，就是为您的设计注入一份强大的动力与持久的稳定，让复杂的高压功率管理变得简单而高效。