STP130N8F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP130N8F7技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？想象一下，一款能够同时驾驭80V高压与80A大电流的功率开关，以超低的导通电阻和卓越的开关特性，为您的系统注入澎湃而精准的动力核心。这正是STP130N8F7所带来的变革性价值。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET F7系列技术的杰出代表，专为那些对效率、可靠性和功率密度有严苛要求的应用而精心打造。

无论是服务器电源中需要高效稳定的DC-DC转换，还是工业电机驱动中要求快速响应和强劲扭矩控制，甚至是新能源领域如太阳能逆变器或车载充电机，STP130N8F7都能游刃有余。其高达205W的功率处理能力和TO-220的经典封装，确保了在复杂工况下的卓越散热与长期稳定运行，让您的产品设计在面对严酷挑战时依然从容不迫。选择它，就是为您的电源管理系统选择了一位值得信赖的“能量指挥官”。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐STP130N8F7？答案在于其背后强大的技术基因与综合价值。它基于先进的MOSFET技术，在4.5V至10V的驱动电压下便能实现优异的导通性能，这意味着更低的驱动损耗和更高的系统整体效率。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及通过ST中国代理可能获取的库存或替代方案支持，使其依然是许多经典和特定升级项目的可靠选择。它代表了一个经过时间考验的性能标杆，能够帮助您快速实现设计目标，降低开发风险，最终打造出在市场上更具竞争力的高能效产品。

型号:STP130N8F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO220
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:205W（Tc）
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起高功率重任、同时保持冷静高效的“核心开关”吗？STP130N8F7正是为您而来！这颗来自意法半导体的80V/80A N沟道MOSFET，凭借其STripFET F7系列的先进技术，能轻松驾驭严苛的电流与电压，显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它将强大的功率处理能力（205W）与经典的TO-220通孔封装相结合，为您提供稳定可靠的物理基础。无论是提升现有方案的性能，还是为经典设计保驾护航，选择STP130N8F7，就是选择了一个久经沙场、值得信赖的动力解决方案，助您轻松应对高功率挑战。