STP13N60DM2

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STP13N60DM2。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的600V耐压和11A连续电流能力，正成为工程师们构建高效、紧凑电源系统的秘密武器。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、降低运营成本的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明应用中，每一次开关都伴随着能量的损耗和热量的积聚。STP13N60DM2凭借其先进的MDmesh DM2技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低至仅365毫欧，这意味着在相同的电流下，产生的导通损耗更少，电能得以更高效地传递。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了极快的开关速度，进一步减少了开关损耗，让您的系统在高效与低温间取得完美平衡，轻松应对严苛的工业环境与连续工作挑战。

选择STP13N60DM2，就是选择了一份安心与前瞻性。其高达110W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品无与伦比的鲁棒性和长寿命，显著降低了现场故障率。经典的TO-220封装不仅便于安装和散热，也保证了与现有设计的良好兼容性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系您信赖的ST芯片代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP13N60DM2成为您下一个成功产品的坚实基石，共同开启能效新纪元。

• 制造商产品型号：STP13N60DM2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DM2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：365 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：730pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 现在可以订购STP13N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您是否正在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的功率开关解决方案？STP13N60DM2正是为您而来！这颗基于ST先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源击穿电压和11A的连续漏极电流能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或PFC电路时，能够轻松应对高电压输入和大功率输出的严苛要求。

它的核心价值在于卓越的效率表现。极低的导通电阻（典型值365毫欧）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷和电容特性则带来了更快的开关速度和更低的开关损耗。这直接转化为更低的系统温升和更高的整体能效，让您的终端产品不仅运行更稳定、更凉爽，还能显著节省能源成本。选择STP13N60DM2，就是为您的产品注入高效可靠的动力核心。