STP13NM60ND

在追求更高能效和可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STP13NM60ND。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的600V耐压和11A连续电流能力，为您的高压开关应用注入强劲动力。它不仅仅是又一个MOSFET，更是基于先进FDmesh II技术打造的效率标杆，旨在将您的系统性能提升到一个全新高度。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动器中，STP13NM60ND正以其极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）大显身手。更低的Rds(on)意味着导通损耗显著降低，电能得以更高效地传输；而优化的Qg则确保了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高频下运行依然冷静从容。无论是工业变频器、UPS不间断电源，还是电瓶车充电器和LED照明驱动，这颗芯片都能轻松应对，确保系统稳定、高效且长寿。

选择STP13NM60ND，就是选择了一份经得起考验的可靠性与价值。其TO-220封装提供了出色的散热能力，结合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保它在严苛环境下依然坚若磐石。这意味着更低的故障率、更长的产品生命周期，最终为您带来更高的客户满意度和市场竞争力。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，请务必通过官方授权的ST代理进行采购，以获得正品保障和完整的服务支持。让STP13NM60ND成为您下一个成功设计的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STP13NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP13NM60ND，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能同时兼顾高压、大电流与高效率的功率开关吗？STP13NM60ND正是为您而来！这颗基于FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和11A的连续电流能力，其核心使命就是让您的电源转换和电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

它凭借低至380毫欧的导通电阻和优化的动态参数，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统整体能效。无论是构建紧凑型适配器、工业电源，还是驱动电机，它都能让您轻松实现更高的功率密度和可靠性，简化您的热设计挑战。