STP141NF55

在追求极致效率的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备出色热性能的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案STP141NF55。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其55V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流能力，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您系统可靠性与效率的坚实保障。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，电流的每一次通断都关乎整体系统的稳定与能耗。STP141NF55正是为此类严苛场景而生。其核心采用了ST引以为傲的STripFET II技术，这项技术通过优化单元结构，将导通电阻（Rds(on)）在40A、10V条件下压降至仅8毫欧的惊人水平。这意味着在传导过程中，由开关本身产生的损耗被大幅削减，更多的电能被有效输送到负载端，直接转化为您系统的性能提升和运营成本的降低。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）进一步确保了高速开关能力，让您的系统响应更快，开关损耗更小，整体效率曲线更加平滑优异。

选择STP141NF55，就是选择了一份从容与安心。它拥有宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和高达300W的功率耗散能力，配合经典的TO-220AB封装，为散热设计提供了极大的便利和可靠性。无论您的应用环境如何变化，它都能稳定工作，延长设备寿命。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅确保您能获得原装正品，更能提供专业的技术支持和供应链保障。让STP141NF55成为您下一个成功设计的强大心脏，释放无限潜能，驾驭澎湃动力。

• 型号:STP141NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP141NF55，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭80A大电流的功率开关吗？STP141NF55正是您的理想之选。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有仅8毫欧的超低导通电阻，能显著降低传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它具备55V的耐压和出色的开关特性（低栅极电荷），让您能轻松实现高速、高效的功率转换。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求消费电子产品的极致能效，STP141NF55都能以其可靠的性能和TO-220AB封装的便利性，成为您设计中值得信赖的核心动力部件。