STP15N60M2-EP

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP15N60M2-EP。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和11A的连续电流能力，正成为工程师们在苛刻应用中的信心之选。它不仅仅是一个开关，更是提升您整个系统能效与可靠性的核心引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关都伴随着能量的转换与损耗。STP15N60M2-EP凭借其先进的MDmesh M2-EP技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下优化至仅378毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速、干净的开关特性，显著降低了开关损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求严苛的功率因数校正（PFC）电路，它都能游刃有余，稳定输出。

选择STP15N60M2-EP，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和TO-220封装带来的出色散热能力，确保了它在恶劣环境下依然坚如磐石。高达110W的功率耗散能力，为您提供了充足的设计余量。当您需要稳定、高质量的货源和专业的技术支持时，信赖专业的ST代理商是确保项目顺利推进的关键。这颗芯片的价值，不仅在于其优异的参数，更在于它能为您的产品带来的整体竞争力提升更长的使用寿命、更高的能源效率以及更低的综合成本。立即将STP15N60M2-EP纳入您的设计，开启高效、可靠的电力转换新篇章。

• 型号:STP15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP15N60M2-EP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STP15N60M2-EP正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和11A的强大电流处理能力，核心采用ST先进的MDmesh M2-EP技术，能显著降低导通和开关损耗。

它能让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更高效、更凉爽。极低的栅极电荷确保快速开关，减少能量浪费；优异的导热封装（TO-220）则助力散热，保障系统长期稳定运行。选择它，就是为您的设计注入高效与可靠的双重保障。