STP15NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，工程师们是否常常面临开关损耗与系统稳定性难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案STP15NM60N。这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和14A的连续电流能力，早已成为众多高效能设计的基石。即便产品状态已更新换代，其卓越的性能表现和极高的性价比，依然在特定应用领域散发着不可替代的魅力，是您优化库存成本、打造经典方案的智慧之选。

想象一下，在您熟悉的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STP15NM60N能够轻松应对。其核心价值在于MDmesh II技术带来的超低导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下典型值仅为0.29欧姆，这意味着更低的传导损耗和更凉爽的运行温度。无论是用于PFC（功率因数校正）电路提升电网侧能效，还是在反激、正激等拓扑中担任主开关管，它都能确保能量以极高的效率传递，直接帮助您降低系统热设计难度，提升整体可靠性。对于需要稳定批量供货的经典项目，通过值得信赖的ST一级代理渠道进行备货，无疑是保障生产连续性与成本优势的稳妥策略。

选择STP15NM60N，就是选择了一份经过时间淬炼的安心。TO-220AB的经典封装形式，使其拥有出色的通流和散热能力，最大功率耗散可达125W，安装简便，易于在现有PCB布局上实现替换或升级。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在严苛工业环境下的稳定表现。虽然它已处于停产状态，但其庞大的市场存量、成熟的应用方案以及无与伦比的性价比，使其成为对成本敏感、且追求长期稳定性的二次设计或备件替换项目的理想选择。它不仅仅是一个元件，更是一个助力您的产品在性能和成本之间取得完美平衡的可靠伙伴。

• 型号:STP15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热问题烦恼吗？让STP15NM60N为您开启高效、可靠的电力转换新篇章。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和14A的强大电流处理能力，核心搭载ST先进的MDmesh II技术，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

它专为提升您的设计价值而生。优异的开关特性结合TO-220AB封装出色的散热能力，让您能轻松应对反激、正激、PFC等拓扑挑战，简化热管理设计。无论是工业电源、UPS还是照明驱动，选择它，就是为您的产品注入了经久耐用的高性能基因。