STP17N62K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP17N62K3技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否还在为高电压、大电流下的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款历经市场验证的经典功率开关解决方案STP17N62K3。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH3技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压应用环境而生，旨在将您的系统性能与稳定性提升到一个全新高度。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，这颗芯片正以其高达620V的漏源电压和15.5A的连续电流能力，从容应对各种电压尖峰和负载波动。其核心魅力在于SuperMESH3技术带来的革命性低导通电阻，在10V驱动下仅380毫欧，这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，从而让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是面对频繁开关的PWM控制，还是需要持续导通的大电流路径，它都能确保能量高效、纯净地传输，显著提升整体能效比。

选择STP17N62K3，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠保障。其TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，最大190W的功率耗散能力为您的散热设计提供了充裕空间。尽管该型号已进入停产周期，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为许多现有产品升级或备货的明智之选。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获得可靠的原装正品供应和技术支持，确保您的生产连续性与产品品质万无一失。在功率电子领域，稳定与高效从来不是选择题，而STP17N62K3正是帮助您实现这一目标的关键拼图。

型号:STP17N62K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STP17N62K3正是为此而来。这颗基于意法半导体先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的坚固耐压和15.5A的强大电流吞吐能力，其超低的导通电阻（仅380毫欧）能显著减少功率损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更节能。

它集成了出色的开关特性与热性能，高达190W的功率耗散能力配合TO-220AB封装，让散热设计变得轻松。无论是应对复杂的工业环境还是追求极致的能效标准，STP17N62K3都能成为您电路中可靠而高效的能量控制核心，助您轻松构建更稳定、更耐用的高性能产品。