STP17NF25

在追求极致效率的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能在高压大电流场景下稳定可靠、同时又能将系统损耗降至最低的功率开关？答案或许就藏在STP17NF25这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或工业照明系统中，一颗功率器件需要承受高达250V的电压冲击，同时流畅地处理17A的连续电流。这正是STP17NF25的舞台。它采用意法半导体引以为傲的STripFET II技术，将导通电阻（RdsOn）在10V驱动下控制在极低的165毫欧。这意味着在每一次开关动作中，由导通损耗转化的无用热量被大幅削减，系统的整体能效得到显著提升，让您的设备运行得更凉爽、更持久。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了快速的开关响应，减少了开关损耗，特别适合高频应用，让能量转换过程如行云流水般高效。

无论是服务器电源需要的高可靠性，还是电动工具电机驱动所要求的强劲动力，亦或是LED驱动对稳定性的苛刻需求，STP17NF25都能游刃有余。其TO-220AB的经典封装，提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，为您的产品注入坚如磐石的品质基因。选择它，就是为您的核心电路选择了一位沉默而强大的守护者。

那么，为何众多工程师在众多选择中独钟于STP17NF25？因为它代表了性能与可靠性的黄金平衡点。它用扎实的参数（250V Vdss, 17A Id）解决了高压侧开关的核心痛点，又用先进的技术（低RdsOn，低Qg）将效率优化到新的高度。这背后是意法半导体强大的技术底蕴和品质管控。当您需要确保供应链稳定并获得原厂级的技术支持时，选择一家可靠的ST一级代理至关重要，他们能为您提供正品保障和专业的选型指导。让STP17NF25成为您下一个成功设计的基石，开启高效、可靠的电能掌控之旅。

• 型号:STP17NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP17NF25，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要高效功率切换的电路吗？STP17NF25正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有250V的耐压和17A的连续电流处理能力，能轻松担当起开关电源、电机控制等应用中的核心开关角色。

它的核心魅力在于极低的导通损耗与出色的开关性能。得益于STripFET II技术，其导通电阻低至165毫欧，配合仅29.5nC的栅极电荷，让您能够大幅降低系统的发热与开关损耗，从而提升整体能效，让您的设备运行得更凉爽、更节能。TO-220AB封装确保了强大的散热能力，宽达-55°C至150°C的工作温度范围则赋予了它应对各种环境挑战的可靠性。

简而言之，STP17NF25能让您以更简单的设计，实现更高效率、更可靠的功率转换，是提升产品市场竞争力的理想选择。