STP180N10F3

在追求极致效率的电源与电机驱动设计中，您是否还在为功率器件的导通损耗、开关速度和热管理而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您介绍一款能够重新定义高性能标准的功率开关解决方案STP180N10F3。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和坚固的物理特性，正成为工程师们攻克高功率密度挑战的得力武器。

想象一下，在您的服务器电源单元中，或在迅猛发展的电动汽车车载充电器(OBC)内部，能量需要被高效、可靠地转换与控制。STP180N10F3正是为此而生。它基于先进的STripFET III技术打造，在100V的漏源电压下，能够持续承载高达120A的电流。最令人印象深刻的是其极低的导通电阻在10V驱动电压、60A电流条件下，最大值仅为5.1毫欧。这意味着在导通状态下，能量以热的形式耗散被降至极低，直接为您带来更高的系统效率和更小的散热器需求。无论是工业电机驱动、大功率DC-DC转换器，还是不间断电源(UPS)和电焊机，它都能游刃有余，确保系统在严苛环境下稳定运行。

选择STP180N10F3，就是选择了一份从容与信心。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关行为，这不仅减少了开关损耗，也简化了驱动电路的设计。TO-220的经典封装形式提供了出色的功率耗散能力（最高315W）和便捷的安装方式，同时宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）让它能从容应对从寒冷到酷热的各种环境挑战。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，请务必联系官方授权的ST中国代理，他们将确保您获得正品器件和完整的服务，让您的产品从设计到量产都一路畅通。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大引擎。

• 型号:STP180N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.1 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的“硬核”功率开关吗？STP180N10F3就是您期待的答案。它专为高效能量转换而设计，其惊人的120A连续电流能力和低至5.1毫欧的导通电阻，能显著降低系统运行中的导通损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

这颗芯片能让您轻松驾驭高功率应用。它采用成熟的TO-220封装，散热性能优异，结合宽广的-55°C至175°C工作结温，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高密度电源，选择它，就是为您的设计注入了强劲而高效的动力核心。