STP180NS04ZC

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为功率损耗和散热难题而困扰？想象一下，一款能够在高电流下保持超低导通电阻的功率开关，将如何彻底改变您的系统性能与可靠性。答案就蕴藏在STP180NS04ZC这颗强大的N沟道MOSFET之中。

源自意法半导体先进的SAFeFET技术平台，这款器件将卓越的性能与坚固的可靠性融为一体。其核心魅力在于，在10V驱动电压下，仅需4.2毫欧的超低导通电阻，就能轻松驾驭高达120A的连续电流。这意味着在您的大电流应用场景中，无论是服务器电源、工业电机驱动还是高功率DC-DC转换器，导通损耗将被大幅削减，更多的电能被高效利用，而非转化为令人头疼的热量。这不仅直接提升了系统整体效率，更让散热设计变得前所未有的轻松，为您的产品在激烈的市场竞争中赢得关键的能效优势。

它的价值远不止于此。高达330W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它应对严苛环境与突发过载的非凡韧性。无论是炎热的车间还是寒冷的户外设备，STP180NS04ZC都能稳定运行，确保您的系统长期可靠。经典的TO-220AB封装，则提供了成熟的安装与散热解决方案，极大简化了您的生产与维护流程。当您选择这款产品时，您选择的不仅是单个元件，更是意法半导体深厚的工业级品质保障。为确保您获得正品与完善的技术支持，我们强烈建议您通过官方ST授权代理进行采购，为您的创新之路保驾护航。

因此，当您下一次设计面临高电流、高效率与高可靠性的三重挑战时，无需再妥协。STP180NS04ZC以其强悍的电流处理能力、极致的低损耗特性以及工业级的耐久度，为您提供了一个经过市场验证的卓越解决方案。让它成为您动力核心的可靠基石，释放系统的全部潜能，打造出更节能、更强劲、更值得信赖的终端产品。

• 型号:STP180NS04ZC
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4560 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时又将能量损耗降到最低的功率开关吗？STP180NS04ZC正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有120A的强大电流承载能力和仅4.2毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

它采用坚固的TO-220AB封装，支持高达330W的功率耗散，结合其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保您的设备即使在最苛刻的环境下也能稳定运行，大幅提升了系统的可靠性与耐久性。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。