STP185N10F3

当您的电源转换系统需要同时承受高压、大电流的严苛考验时，是否曾为效率和散热问题而烦恼？现在，答案就在STP185N10F3。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能，正在重新定义高效功率管理的标准。它不仅仅是一个开关，更是您系统可靠性与能效飞跃的基石，让能量以更低的损耗、更快的速度精准流动。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，每一次开关都伴随着能量的损耗和热量的产生。STP185N10F3凭借其STripFET技术的深厚底蕴，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的4.8毫欧（@60A, 10V），这意味着在高达120A的连续电流下，导通损耗被大幅削减。更低的损耗直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性，让您的设备在满负荷运行时依然保持冷静与稳定，有效延长整体寿命并简化散热设计。

选择STP185N10F3，就是选择了一份从容的保障。其100V的漏源电压（Vdss）和高达300W的功率处理能力，为各种严苛的工业与汽车应用提供了宽裕的安全边际。从电动工具到不间断电源（UPS），从电焊机到光伏逆变器，它都能游刃有余。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），确保了在极端环境下的卓越稳定性。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，专业的ST代理将是您值得信赖的合作伙伴，为您提供从选型到量产的全方位支持。立即采用STP185N10F3，为您的下一个功率设计注入强劲、高效且可靠的核心动力。

• 制造商产品型号：STP185N10F3
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 120A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 现在可以订购STP185N10F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“能量开关”吗？STP185N10F3正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和高达120A的连续电流承载能力，其核心价值在于极低的4.8毫欧导通电阻，能显著减少开关和导通过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它基于意法半导体成熟的STripFET技术打造，让您在设计大功率电源转换、电机驱动或负载开关应用时，轻松应对热管理的挑战。高达300W的功率耗散能力和宽泛的工作温度范围，确保了其在严苛环境下的长期稳定运行。选择STP185N10F3，就是选择用一颗高效、可靠的芯片，为您的产品赢得性能与成本的双重优势。