STP190N55LF3

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在55V电压下稳定承载120A大电流的功率开关，其导通电阻低至惊人的3.7毫欧，这不仅仅是一个参数，更是系统效率跃升的基石。这正是意法半导体STripFET系列中的明星产品STP190N55LF3为您带来的核心价值。它凭借卓越的电气性能，将导通损耗降至极低，让您的电源设计在效率和热管理上轻松超越竞争对手。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率DC-DC转换器和电动工具，STP190N55LF3都能游刃有余。其高达312W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了在最严苛的环境下依然稳定可靠。当您需要驱动大电流负载时，它极低的栅极电荷（仅80nC @ 5V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统响应更迅捷，整体能效曲线更加亮眼。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的心脏。

为何众多工程师在关键项目中信赖STP190N55LF3？答案在于其背后ST意法半导体深厚的工艺积累与STripFET技术的精粹。它不仅仅是一个MOSFET，更是一个经过优化、旨在释放系统全部潜能的解决方案。从可靠的ST代理商处获取正品，您得到的不仅是这颗性能强悍的芯片，更是从设计到量产的全周期支持与品质保证。在追求高功率密度和卓越可靠性的道路上，让STP190N55LF3成为您无可争议的选择，助力您的产品在市场中脱颖而出，赢得先机。

• 型号:STP190N55LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP190N55LF3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

当您的设计面临高电流、高效率的严苛挑战时，STP190N55LF3就是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，专为驾驭55V/120A的强劲电力而打造，其核心使命是让您的电源转换和电机驱动系统运行得更冷静、更高效。

它采用先进的STripFET技术，实现了超低的3.7毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷设计让开关速度更快，驱动更轻松。无论是用于服务器电源、工业设备还是新能源应用，它都能让您轻松应对高功率需求，确保系统稳定可靠，助您打造更具市场竞争力的高性能产品。