STP19NF20

当您的电源转换系统需要在高电压下稳定输出大电流时，是否曾为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，一颗性能卓越的功率MOSFET能彻底改变这一局面。我们隆重向您推荐意法半导体的STP19NF20，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、降低整体成本的得力助手。凭借其200V的耐压能力和15A的连续漏极电流，这颗芯片天生就是为应对严苛的功率开关挑战而设计的。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、电机驱动控制器或高频逆变器中，STP19NF20能够以极低的导通电阻（仅160毫欧）和快速的开关特性，将能量损耗降至最低。这意味着更少的发热、更高的能源利用效率，以及更紧凑的散热设计空间。无论是工业自动化设备中的电机驱动，还是不断电系统（UPS）和电焊机中的核心功率模块，它都能提供坚实可靠的性能保障，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STP19NF20，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。它采用了先进的MESH OVERLAY技术，确保了器件性能的一致性和长期可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）让它能从容应对各种恶劣环境。经典的TO-220AB封装不仅便于安装和散热，也经过了市场的长期验证。更重要的是，当您通过官方授权的ST一级代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和具有竞争力的价格，还有及时的技术支持和稳定的供货渠道，让您的产品开发与生产全无后顾之忧。立即体验它为您带来的高效与宁静吧！

• 型号:STP19NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP19NF20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STP19NF20正是您期待的答案。这颗N沟道功率MOSFET拥有200V的耐压和15A的强劲电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗最大仅160毫欧的导通电阻，让您在开关电源或电机驱动应用中，能显著降低能量损耗，提升整体系统效率。

它能让您轻松应对高频开关的挑战。得益于优化的栅极电荷（Qg仅24nC）和输入电容，STP19NF20具备快速的开关速度，这不仅减少了开关损耗，也让您的电路设计更简洁高效。高达90W的功率耗散能力，配合经典的TO-220AB封装，确保了出色的散热性能，让您的设备运行更稳定、更持久。