STP200N3LL

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一个能同时承载120A大电流、导通电阻却低至毫欧级别的开关器件，将如何彻底改变您的电源设计格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的力作STP200N3LL，这颗N沟道功率MOSFET正是为应对高电流、高效率的严苛挑战而生。

无论是服务器电源中要求苛刻的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是不断追求轻量化与小体积的汽车辅助系统，STP200N3LL都能游刃有余。其30V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流，为稳定可靠的大功率开关提供了坚实基础。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为2.4毫欧，这意味着在导通状态下，电能几乎可以无阻碍地通过，将导通损耗降至极低，让系统的整体能效跃升到一个新高度。这种高效能直接转化为更低的温升和更小的散热需求，让您的产品设计更紧凑，运行更冷静。

选择STP200N3LL，就是选择了一份从容与自信。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动更容易，进一步减少了开关过程中的能量损失。TO-220的经典封装形式，兼顾了优异的功率耗散能力（高达176.5W）和便捷的安装工艺。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种极端环境下依然稳定如一。当您需要这样一颗高性能、高可靠性的核心功率器件时，选择值得信赖的ST一级代理至关重要，他们不仅能提供正品保障和具有竞争力的价格，更能为您带来及时的技术支持和供应链服务，让您的创新之旅全程无忧。让STP200N3LL成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:STP200N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:176.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP200N3LL，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能轻松驾驭大电流、同时保持超高效率的功率开关吗？STP200N3LL正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和惊人的120A连续电流处理能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下仅2.4毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案能效大幅提升，运行起来更凉爽、更安静。

它不仅仅参数亮眼，更注重实际应用的便捷与可靠。优化的栅极特性让驱动设计变得简单，加速开关过程以减少损耗；经典的TO-220封装提供了出色的散热路径和坚固的机械性能。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的紧凑设计，它都能让您游刃有余，是实现高效、紧凑、可靠功率转换的理想基石。