STP200N4F3

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够承载120A大电流，同时将导通电阻降至毫欧级别的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局？这正是STP200N4F3带来的震撼价值。作为意法半导体STripFET家族的杰出代表，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统能效、实现紧凑设计的强大引擎。

无论是驱动一台强劲的工业伺服电机，还是为高密度服务器电源提供核心开关，亦或是在新能源车的车载充电器中扮演关键角色，STP200N4F3都能游刃有余。其高达40V的漏源电压和120A的连续电流能力，为各种严苛的DC-DC转换、电机驱动和负载开关应用提供了坚实的性能基石。在高温环境下，它依然能保持稳定，工作结温高达175°C，确保了系统在极限工况下的可靠性，让您的产品无惧挑战。

选择STP200N4F3，就是选择了一种以性能为导向的设计哲学。其超低的4.4毫欧导通电阻，直接意味着更少的导通损耗和更低的温升，这不仅提升了整体效率，也简化了散热设计，让您的产品更节能、更小巧。同时，优化的栅极电荷特性有助于实现更高频率的开关，进一步提升功率密度。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以获得高质量的货源和全面的技术支持，为现有设计的持续生产或升级换代保驾护航。这颗芯片所蕴含的稳定、高效与强劲动力，正是助力您的产品在市场竞争中脱颖而出的秘密武器。

• 型号:STP200N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP200N4F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP200N4F3正是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达120A的连续电流，凭借仅4.4毫欧的超低导通电阻，显著降低开关过程中的能量损耗，直接提升系统的整体能效，让热量管理变得更简单。

这颗采用成熟TO-220封装的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达300W的功率处理能力。其优异的栅极驱动特性，让您可以实现更快速、更高效的开关控制，无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，都能确保稳定可靠的性能输出，助您构建更强劲、更耐用的电力电子系统。