STP200N6F3

在追求极致能效与可靠性的电力转换世界中，您是否还在为寻找一款能够承载大电流、同时保持超低损耗的功率开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。意法半导体凭借其先进的STripFET技术，为您带来了性能卓越的STP200N6F3。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达120A的连续漏极电流和仅为3.9毫欧的超低导通电阻，重新定义了60V应用下的效率标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统热损耗、实现绿色能源目标的强大引擎。

想象一下，在工业电机驱动、高密度服务器电源或是不间断电源（UPS）系统中，电流的每一次开关都伴随着能量的损耗与热量的产生。STP200N6F3正是为此类严苛场景而生。其卓越的电气特性意味着在相同的输出功率下，更少的能量以热的形式浪费，这不仅让您的设备运行得更凉爽、更安静，也直接延长了关键元器件的使用寿命，提升了整个系统的平均无故障时间。无论是面对峰值负载的冲击，还是需要长时间稳定运行，它都能提供坚实的保障，让您的设计从容应对各种挑战。

选择STP200N6F3，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与意法半导体的技术背书。虽然该型号已进入停产状态，但其经典的设计和出色的性能使其在库存及特定应用领域依然拥有不可替代的价值。对于寻求高性价比、高可靠性解决方案的工程师而言，它代表着一个成熟且风险可控的选择。当您需要获取这颗经典芯片或进行技术咨询时，可以联系专业的ST代理商，他们能为您提供可靠的货源与专业的技术支持。让STP200N6F3成为您下一个成功产品的力量核心，以更低的导通损耗，释放更高的系统潜能，共同迈向更高效、更可靠的未来。

• 型号:STP200N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP200N6F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要处理大功率的电机控制、电源转换或负载开关应用吗？STP200N6F3正是为您而来的解决方案。这颗采用STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达120A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的3.9毫欧超低导通电阻。这意味着在开关和导通状态下，它能将能量损耗降至极低，让您的系统运行得更高效、更凉爽。

更低的损耗直接转化为更高的效率和更简单的热管理设计。无论是驱动工业电机、构建紧凑型电源，还是管理电池系统，STP200N6F3都能让您轻松应对高电流挑战，提升产品整体可靠性和功率密度，助您打造出性能出众且极具市场竞争力的终端产品。