STP200NF04L - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP200NF04L技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热难题和系统可靠性而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案STP200NF04L。这颗来自ST意法半导体的功率MOSFET，以其卓越的性能和坚固的耐用性，即使在宣布停产后，依然是众多工程师在关键设计中信赖的“老兵”，其价值在持续的应用中不断被印证。

想象一下，在您的大电流DC-DC转换器中，每一次开关都意味着能量的损耗与热量的积累。STP200NF04L的核心魅力在于其惊人的低导通电阻在10V驱动下，仅3.8毫欧的Rds(on)值，意味着当50A电流流过时，它产生的导通损耗微乎其微。这不仅直接提升了整机效率，更大幅降低了散热设计的压力，让您的电源产品在激烈的市场竞争中，凭借更高的能效和更小的体积脱颖而出。其高达120A的连续漏极电流承载能力和300W的功率耗散能力，为高功率密度应用提供了坚实的保障。

无论是驱动工业伺服电机、构建可靠的UPS不间断电源，还是为新能源车的辅助系统提供高效开关，STP200NF04L都能游刃有余。它采用的STripFET II技术，确保了出色的开关性能和坚固性。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）让它能从容应对各种严苛环境，从酷热的车间到寒冷的户外，性能始终稳定如一。选择它，就是为您的产品选择了一份历经考验的可靠性。虽然该型号已停产，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获得有保障的库存，用于维护现有产品线或完成经典设计，其卓越的性价比和久经考验的表现，使其成为控制成本与追求性能平衡点的智慧之选。

型号:STP200NF04L
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的“开关”吗？STP200NF04L正是为您而生的高效能N沟道MOSFET。它拥有40V的耐压和高达120A的连续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅3.8毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭大功率DC-DC转换、电机驱动和负载开关等应用。优异的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，而TO-220AB封装则提供了出色的散热能力。选择它，意味着您为产品注入了ST意法半导体STripFET II技术的可靠基因，在提升性能的同时，有效简化热管理设计，让您的项目运行更高效、更稳定。