STP21NM50N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP21NM50N技术参数详情：

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本与空间时，什么样的功率器件才能成为您的理想选择？答案或许就藏在STP21NM50N这颗性能卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、优化能源效率的关键伙伴，承载着意法半导体MDmesh II技术的深厚积淀，专为应对严苛的功率转换挑战而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或是高功率LED照明驱动器中，系统需要处理高达500V的电压和18A的连续电流。这正是STP21NM50N大显身手的舞台。其出色的高压耐受能力和低至190毫欧的导通电阻，意味着在能量转换过程中，由器件本身产生的热量和损耗被大幅降低，从而让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是面对频繁的开关动作，还是持续的高负载运行，它都能提供稳定可靠的性能表现，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中赢得用户信赖。

选择STP21NM50N，就是选择了一份经过验证的品质与性能保障。其TO-220AB封装不仅提供了优异的散热能力，支持高达140W的功率耗散，也兼顾了通孔安装的便利性与坚固性。对于追求高性价比和长期稳定供货的设计师而言，通过值得信赖的ST代理商进行采购，是确保获得正品并获取专业技术支持的最佳途径。这颗芯片所代表的，是意法半导体对高性能功率解决方案的不懈追求，它将帮助您轻松跨越设计瓶颈，打造出更高效、更紧凑、更具竞争力的新一代电力电子设备，让创新想法更快地转化为市场成功。

型号:STP21NM50N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:140W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在为高压大电流开关应用中的效率损失和散热问题烦恼吗？STP21NM50N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和18A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值190mΩ），能显著减少开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对严苛的工业环境。高达140W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了其在持续高负载下的稳定性和长寿命。无论是用于提升开关电源的功率密度，还是优化电机驱动的响应速度，STP21NM50N都能以卓越的性能，帮助您简化设计、提升产品整体可靠性，是打造高性能、高竞争力功率电子设备的理想基石。