STP22NM60N

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？答案就在STP22NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的坚固耐压和仅220毫欧的超低导通电阻，为您打开了高效能量转换的新大门。它不仅仅是参数表上的一个型号，更是您提升产品竞争力、降低系统热损耗、实现更紧凑设计的秘密武器。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或UPS不间断电源系统中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的积累。STP22NM60N凭借其先进的MDmesh II技术，显著降低了开关损耗和传导损耗，让您的设备在严苛环境下依然保持冷静高效的运行。无论是驱动一台工业风扇，还是为服务器集群提供稳定的电力保障，这颗芯片都能以卓越的稳定性，确保系统长时间无故障工作，大幅延长产品寿命，直接为您节省维护成本和提升终端用户满意度。

选择STP22NM60N，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。其高达16A的连续漏极电流和125W的强大功率处理能力，为您提供了充裕的设计余量。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺。更重要的是，通过与值得信赖的ST代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。它不仅仅是一个元件，更是您构建高效、可靠、耐用电力电子系统的坚实基石。

• 型号:STP22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP22NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

在追求极致能效的今天，您是否在寻找一颗能大幅降低系统功耗、提升整体可靠性的功率开关？STP22NM60N正是为此而生。它集成了ST先进的MDmesh II技术，让您在高达600V的电压平台下，依然能享受低至220毫欧的导通电阻所带来的高效体验，显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭16A的连续电流，以高达125W的功率处理能力，应对各种严苛的工业与消费类应用。其优化的栅极电荷和开关特性，有助于提升系统开关频率，从而让您设计出更小巧、更轻便的磁性元件和整体解决方案。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心基因。