STP23NM50N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP23NM50N技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的电源系统中，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STP23NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的MDmesh II技术，将500V的耐压能力与仅为190毫欧的超低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的高效能与可靠性。它不仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，能量转换的每一个环节都至关重要。STP23NM50N正是为这些严苛场景而生。其高达17A的连续漏极电流和125W的强大功率处理能力，确保系统在重载下依然稳定运行。极低的栅极电荷（仅45nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计在效率曲线上轻松攀上新的高峰，同时有效控制温升，延长整个系统的使用寿命。

选择STP23NM50N，就是选择了一份经得起时间考验的安心。它不仅仅提供了优异的电气参数，其经典的TO-220封装兼顾了出色的散热性能和便捷的安装方式，非常适合从原型开发到大规模生产的各种需求。当您需要可靠、高性能的功率开关解决方案时，与专业的ST芯片代理合作，确保您能获得正品货源和全面的技术支持，让您的产品从设计之初就站在巨人的肩膀上。让STP23NM50N成为您下一个成功项目的坚实基石，共同开启高效、可靠的电能新时代。

型号:STP23NM50N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:125W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的“核心开关”吗？STP23NM50N正是为此而来！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和17A的强大电流通过能力，其秘诀在于低至190毫欧的导通电阻，能显著减少导通损耗，让电能转换更加顺畅，直接为您提升系统整体效率。

更令人惊喜的是，它极低的栅极电荷让开关动作干净利落，大幅降低开关损耗和驱动需求。无论是用于构建高效的开关电源（SMPS）、驱动电机，还是管理功率因数校正（PFC）电路，它都能让您的设计轻松应对高温挑战，稳定运行于高达150°C的结温环境。选择它，就是为您的产品注入了持久可靠的动力核心。