STP24NF10 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP24NF10技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热瓶颈和系统可靠性而烦恼？今天，我们为您带来一个能够彻底改变游戏规则的解决方案STP24NF10。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET II技术，将高性能与高可靠性完美融合，是工程师应对严苛应用挑战的得力武器。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，它能够以极低的导通电阻（仅60毫欧）承载高达26A的连续电流，显著降低传导损耗，让电源效率轻松突破新高。在电机驱动或逆变器电路中，其快速的开关特性和优异的栅极电荷管理，确保了精准、高效的PWM控制，让电机运行更平稳、响应更迅捷。无论是工业自动化设备中的伺服驱动，还是新能源领域的光伏逆变器，甚至是高要求的汽车电子辅助系统，STP24NF10都能游刃有余，在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，赋予您的产品无与伦比的环境适应性和长久的使用寿命。

选择STP24NF10，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一份由全球半导体领袖ST意法半导体提供的品质承诺。其经典的TO-220AB封装兼顾了优异的散热能力和便捷的安装工艺，85W的功率耗散能力让热设计更加从容。这意味着您的产品能以更小的体积、更低的温升，实现更大的功率输出，从而在市场竞争中占据先机。为了让您更便捷地获得这款明星产品，我们推荐您通过值得信赖的ST中国代理进行采购，确保您获得原装正品与及时的技术支持，让创新之路畅通无阻。

型号:STP24NF10
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:85W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP24NF10正是为您而生的答案！这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和高达26A的连续电流能力，其核心魅力在于仅60毫欧的超低导通电阻。这意味着在您的电源或电机驱动电路中，它能大幅减少导通时的能量损耗，直接提升系统整体效率，让您的设备运行更凉爽、更节能。

更令人惊喜的是，它具备优异的开关性能与栅极电荷特性，让您能够轻松实现高速、精准的功率控制。无论是用于提升开关电源的转换效率，还是驱动电机实现平滑有力的运转，STP24NF10都能以稳定可靠的表现为您的设计保驾护航。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、强劲的“心脏”。