STP25N80K5

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否渴望一款能同时兼顾高性能与可靠性的解决方案？今天，我们为您带来答案STP25N80K5，这颗来自ST意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，正是为突破极限而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的核心引擎，其800V的漏源电压和19.5A的连续漏极电流，为高功率应用提供了坚实的保障，让您的设计在严苛环境下依然游刃有余。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至新能源充电桩的核心电路中，STP25N80K5正发挥着关键作用。它卓越的开关性能和低至260毫欧的导通电阻，能显著降低系统导通损耗，这意味着更少的能量浪费和更低的温升。在追求绿色高效的时代，这颗芯片直接助力您的终端产品实现更高的能效等级，不仅降低了用户的运营成本，也为环境保护贡献了力量。其坚固的TO-220封装和高达250W的功率耗散能力，确保了长期运行的稳定与耐用，让您对产品的可靠性充满信心。

选择STP25N80K5，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质。ST意法半导体的SuperMESH5技术，代表了行业领先的功率处理水平，其优化的栅极电荷和输入电容特性，让驱动电路设计更为简化，系统响应更快。无论您是面对复杂的工业环境还是追求极致的消费级性能，它都能轻松胜任。为了确保您能获得原装正品和及时的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购。这不仅是品质的保证，更是项目顺利推进、快速上市的关键一步。立即行动，让STP25N80K5成为您下一个成功产品的强大心脏！

• 型号:STP25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为寻找一颗能扛起高电压、大电流重任的功率开关而烦恼吗？STP25N80K5正是您期待的解决方案！这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和19.5A的持续电流能力，专为应对严苛的功率转换挑战而设计。

它能让您的电源系统运行得更加高效、凉爽。其极低的导通电阻（仅260毫欧）和优化的动态特性，能显著减少开关损耗和导通损耗，直接提升整体能效，并简化散热设计。无论是用于开关电源、电机控制还是照明镇流器，它都能让您的产品性能脱颖而出，可靠性倍增。

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