STP2N105K5

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否正为高压开关应用中的损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STP2N105K5。这款来自意法半导体MDmesh K5系列的高压N沟道MOSFET，以其1050V的超高耐压和仅为8欧姆的低导通电阻，为您打开了高效能电源设计的新大门。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或工业电机驱动中，STP2N105K5能够轻松应对高压环境，实现快速、干净的开关动作。其极低的栅极电荷（仅10nC）和输入电容，意味着驱动更简单，开关损耗显著降低，让您的系统整体效率跃升一个台阶。无论是面对反激式转换器中的主开关挑战，还是需要可靠离线功率因数校正（PFC）的场合，它都能稳定发挥，确保能量转换过程既高效又安全。选择它，就是为您的产品注入了持久可靠的动力核心。

为什么众多工程师在高压应用中信赖STP2N105K5？答案在于其背后强大的MDmesh K5技术。这项技术优化了单元结构，在保持超快体二极管特性的同时，大幅降低了导通电阻和开关损耗，实现了优异的品质因数（FOM）。这意味着您可以在更小的散热压力下获得更大的功率输出，简化热管理设计，从而节省空间与成本。其坚固的TO-220封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了它在严苛工业环境下的长期稳定性。当您需要可靠的原厂正品与技术支持时，我们的ST芯片代理服务随时待命，为您提供从选型到供应的全程无忧保障。选择STP2N105K5，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个值得信赖的合作伙伴，共同迈向更高效、更可靠的电子未来。

• 型号:STP2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP2N105K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电路中的开关效率发愁吗？STP2N105K5正是为您而来的高效解决方案！这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达1050V的击穿电压和仅1.5A的连续漏极电流能力，专为要求苛刻的高压开关应用而设计。

它能为您做什么？核心在于其卓越的开关性能。极低的栅极电荷和输入电容让驱动变得异常轻松，大幅降低开关损耗；同时，优异的导通电阻特性确保了在导通状态下的高效能。这一切，都让您的电源设计无论是开关电源、LED驱动还是工业控制运行得更凉爽、更高效、更可靠，助您轻松提升终端产品的整体性能和市场竞争力。