STP30NF10

在追求更高效率、更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够显著提升系统表现的动力核心STP30NF10。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET II技术，为您带来前所未有的低导通电阻体验。仅45毫欧的Rds(on)值，意味着在高达35A的连续电流下，它能将导通损耗降至极低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这不仅直接提升了整机效率，更让散热设计变得前所未有的轻松，为您的产品在激烈的市场竞争中，奠定了坚实的性能与可靠性基石。

想象一下，无论是需要强劲动力和精准控制的电动工具、园林设备，还是对效率和稳定性要求严苛的开关电源、DC-DC转换器，甚至是不断追求轻量化与长续航的电动车载充电器，STP30NF10都能游刃有余，成为驱动这些应用的理想选择。其100V的漏源电压和高达115W的功率处理能力，赋予了它应对各种复杂工况的宽裕余量。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，让从原型设计到批量生产的过程都顺畅无比。选择它，就是为您的产品注入了来自全球半导体领袖的稳定基因。

那么，在众多同类产品中，为何最终锁定STP30NF10？答案在于它为您提供的综合价值远超一个简单的元器件。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），意味着它能够被快速驱动，显著降低开关损耗，特别适合高频开关应用，让您的电源系统跑得更快、更凉、更安静。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了它在极端环境下依然稳定可靠。当您需要获取官方技术支持和稳定的供货渠道时，请务必通过正规的ST中国代理进行采购，这不仅是品质的保证，更是项目如期推进、产品成功上市的关键一环。让STP30NF10成为您下一个爆款产品背后，最沉默却最有力的功臣。

• 型号:STP30NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP30NF10，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STP30NF10正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达35A的连续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅45毫欧@10V）。这意味着它能让您的电路以更小的损耗通过大电流，直接提升系统整体效率，并大幅减轻散热设计的压力。

同时，其优化的动态参数，如较低的栅极电荷，让开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关电源、电机驱动等对效率敏感的应用。TO-220AB封装坚固可靠，便于安装和散热。选择STP30NF10，就是选择让您的设计更高效、更可靠、更具竞争力，轻松应对各种功率转换与控制的挑战。