STP30NM30N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP30NM30N技术参数详情：

在追求更高效率与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定输出强劲电流的MOSFET而反复权衡？今天，我们为您带来一个经久考验的卓越解决方案STP30NM30N。这款源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其300V的耐压能力和高达30A的连续漏极电流，为您的设计注入澎湃动力与坚实保障。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体能效、简化热管理并确保长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，STP30NM30N凭借其优异的动态特性与低导通电阻，能够显著降低开关损耗与传导损耗，让您的电源模块在满载运行时依然保持“冷静”。在电机驱动与逆变器应用中，它强大的电流处理能力与快速的开关速度，确保了驱动信号的精准与高效，无论是工业变频器还是不间断电源（UPS），都能实现平滑而有力的能量控制。即便面对高要求的照明镇流器或功率因数校正（PFC）电路，它也能游刃有余，提供稳定可靠的性能基石。

选择STP30NM30N，意味着您选择了一份经过市场验证的卓越性能。其TO-220AB封装不仅提供了出色的散热能力，支持高达160W的功率耗散，也便于安装与生产。宽广的工作温度范围（-65°C至150°C）让它能从容应对各种严苛环境。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在库存充足的情况下，依然是许多经典设计或特定批次生产的绝佳选择。为确保您获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。让这颗凝聚了ST先进MDmesh II技术的功率器件，成为您下一个成功项目中不可或缺的“能量核心”，助您以更低的系统总成本，实现更高层次的性能突破。

型号:STP30NM30N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:160W（Tc）
工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压大电流任务的功率开关吗？STP30NM30N正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有300V的坚固耐压和30A的强大电流吞吐能力，让您在设计开关电源、电机驱动或逆变系统时，拥有一个高效可靠的能量控制核心。

它采用ST先进的MDmesh II技术，在10V驱动电压下导通电阻极低，这意味着更小的传导损耗和更高的整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，让您的系统运行更迅捷、更稳定。其经典的TO-220AB封装提供了卓越的散热性能，配合宽广的工作温度范围，让您的设备即使在严苛环境下也能持久稳定地输出功率。