STP30NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗让系统温升难以控制时，您是否在寻找一个能同时兼顾高性能与可靠性的解决方案？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越选择STP30NM50N。这款来自ST意法半导体的功率MOSFET，凭借其MDmesh II技术的深厚底蕴，专为解决中高功率应用中的核心痛点而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、确保系统稳定运行的关键拼图。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高效能照明镇流器的核心电路中，STP30NM50N正以其500V的高耐压和27A的连续电流能力，从容应对各种严苛的电气环境。其TO-220-3的经典封装，为工程师提供了熟悉的安装方式和出色的散热基础，让热管理设计变得更加轻松。更重要的是，其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着在导通状态下更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。这对于追求绿色节能和长寿命设计的现代电子产品而言，价值无可估量。

选择STP30NM50N，就是选择了一份由顶尖半导体技术带来的安心与高效。其优化的栅极电荷和开关特性，有助于简化驱动电路设计，减少开关损耗，让您的系统即使在高速开关频率下也能保持冷静与稳定。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证，使其在库存和替代方案中依然保有重要地位，是许多经典设计升级或维护的优选。如果您正在为项目寻找可靠且性能出众的功率开关器件，通过专业的ST中国代理进行咨询与采购，将是获取正品保障和技术支持的最快捷途径。让STP30NM50N成为您下一个成功产品的强大心脏，释放前所未有的能效潜力。

• 型号:STP30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP30NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为功率转换电路的效率和发热问题烦恼吗？让STP30NM50N来为您分忧！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和高达27A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机控制等应用中的核心开关任务。

它的核心价值在于极低的导通损耗，最大仅115毫欧的导通电阻，意味着电流通过时产生的热量更少，让您的系统运行更凉爽、效率更高。同时，优化的动态参数有助于实现更干净、更快速的开关，简化您的驱动设计，全面提升电源的功率密度和可靠性。