STP30NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP30NM60N技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为功率器件的选择而反复权衡？今天，我们为您带来一款久经市场考验的经典功率解决方案STP30NM60N。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，以其卓越的600V耐压和高达25A的连续电流处理能力，为您的工业电源、电机驱动和照明系统注入强劲而稳定的动力核心。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，这颗芯片能够轻松应对PFC（功率因数校正）和硬/软开关拓扑的严苛要求，其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。而在电机驱动领域，无论是变频器还是伺服驱动器，其快速的开关特性和坚固的耐压能力，都能确保电机平稳、高效且可靠地运行，有效延长设备寿命。即便面对复杂的电磁环境，其稳健的性能表现也能让您在设计时更加从容自信。

选择STP30NM60N，就是选择了一份经过时间验证的可靠性。它采用经典的TO-220AB封装，易于安装和散热管理，最大190W的功率耗散能力为您的热设计提供了充裕的余量。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其在存量市场、特定升级项目或对经典设计有延续性要求的场景中，依然具有不可替代的价值。当您需要这颗经典芯片时，通过值得信赖的ST授权代理渠道进行询价与采购，是确保您获得正品原装器件、保障项目顺利推进的关键一步。让STP30NM60N的成熟魅力，继续在您的下一代高能效设计中闪耀光芒。

型号:STP30NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:190W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任的“硬核”开关吗？STP30NM60N正是为您而来！这颗基于意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和25A的强大电流吞吐能力，让您在设计工业电源、电机驱动或高效照明系统时，轻松应对高压侧开关的挑战。

它的核心魅力在于极低的导通损耗（Rds(on)典型值仅130毫欧）和优化的动态特性，能显著提升系统的整体能效，减少发热，让您的产品运行更凉爽、更持久。经典的TO-220AB封装便于安装和散热，高达190W的耗散功率为您提供了充足的设计余量。选择它，就是为您的功率电路选择了一位可靠且高效的“执行者”。