STP310N10F7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP310N10F7技术参数详情：

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗和温升问题而困扰？想象一下，一个能同时承载180A大电流、导通电阻却低至2.7毫欧的开关器件，将如何彻底改变您的设计格局？这正是STP310N10F7带来的震撼体验。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体尖端STripFET VII技术与DeepGATE工艺的结晶，专为挑战高效率、高功率密度应用的极限而生。

当您将它应用于服务器电源、高性能工业电机驱动或新能源车的车载充电器时，其超低的Rds(on)特性将直接转化为惊人的节能效果和显著降低的热量积累。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更安静，同时将宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非白白耗散。在DC-DC转换器或同步整流电路中，它快速的开关性能和优化的栅极电荷（Qg）让高频操作游刃有余，轻松提升整体电源的功率密度和动态响应，帮助您的终端产品在市场竞争中脱颖而出。

选择STP310N10F7，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的可靠承诺。其坚固的TO-220封装能够承受高达315W的功率耗散，宽广的-55°C至175°C结温范围确保它在各种严苛环境下稳定运行。无论是应对突发的电流冲击，还是在持续高负载条件下工作，它都能提供卓越的耐久性和一致性。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能猛兽，我们作为专业的ST芯片代理，不仅能确保原装正品的稳定供应，更能为您提供深入的技术支持与选型指导，让您的创新之路畅通无阻。让STP310N10F7成为您下一个爆款产品的强大心脏，共同开启高效能源利用的新篇章。

型号:STP310N10F7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N CH 100V 180A TO-220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:315W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找那颗能扛起大电流、压得住损耗的“硬核”开关吗？STP310N10F7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和高达180A的连续电流承载能力，而其导通电阻却可低至惊人的2.7毫欧。这意味着它能极大地减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它卓越的开关特性，如优化的栅极电荷，让您能轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，提升功率密度。无论是用于服务器电源、工业变频器，还是新能源领域的OBC和DCDC，STP310N10F7都能以出色的可靠性和坚固的TO-220封装，确保您的产品性能稳定、寿命长久。选择它，就是为您的设计注入一股强劲而高效的动力。