STP3N62K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP3N62K3技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率开关器件而困扰？今天，我们为您带来意法半导体SuperMESH3家族的明星成员STP3N62K3。这款N沟道MOSFET以其高达620V的漏源电压和优化的动态特性，正是为应对严苛应用挑战而生的解决方案。它不仅继承了ST在功率半导体领域数十年的技术积淀，更通过创新的SuperMESH3技术，将导通损耗与开关损耗降至新低，让您的系统从诞生之初就具备卓越的能效基因。

想象一下，在开关电源的初级侧，无论是反激式还是正激式拓扑，STP3N62K3都能凭借其2.7A的连续电流能力和仅2.5欧姆的低导通电阻，高效地处理能量转换，显著减少发热，提升整体可靠性。在照明领域，驱动LED的离线式电源或电子镇流器中，它稳定的高压耐受性确保了长寿命与安全运行。甚至在一些工业控制、电机驱动辅助电源或家用电器的主功率回路中，其TO-220AB的经典封装提供了优异的散热能力和便捷的安装方式，让工程师的设计与生产流程都变得更为顺畅。选择它，意味着为您的产品注入了经市场验证的稳定内核。

为何众多领先企业信赖并选择这款器件？答案在于其无可替代的价值组合。SuperMESH3技术带来了更快的开关速度和更低的栅极电荷（仅13nC），这直接转化为更低的驱动损耗和更高的工作频率潜力，让您的电源设计可以朝着更小体积、更高功率密度的方向迈进。高达150°C的结温工作能力，赋予了系统应对瞬时过载和恶劣环境温度的强大韧性。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目或对长期可靠性有极致要求场景下的经典之选。如需获取此型号或咨询ST意法半导体全系列产品，我们的ST芯片代理团队将为您提供专业的技术支持与供应链服务，确保您能高效、安心地完成产品开发与量产。

型号:STP3N62K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:45W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭620V高压、同时保持高效开关动作的功率开关吗？STP3N62K3正是为您而来！这颗来自ST意法半导体SuperMESH3系列的N沟道MOSFET，拥有2.7A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅2.5欧姆）和极小的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求。

这意味着，在您的开关电源、LED驱动或各种离线式变换器设计中，它能帮助您提升整体能效，减少热量产生，让系统运行更凉爽、更可靠。经典的TO-220AB封装让散热设计和安装变得轻而易举，助您快速实现从方案到产品的跨越。