STP3N80K5

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为高压开关应用中的损耗与散热问题而烦恼？现在，让我们为您介绍一个卓越的解决方案STP3N80K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达800V的漏源电压和先进的SuperMESH5技术，为您的高压电路注入强劲而稳定的核心动力。它不仅意味着更低的导通电阻和更快的开关速度，更代表着整体系统效率的显著提升和热管理的极大简化，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在开关电源（SMPS）、照明镇流器、电机驱动乃至工业电源等高压应用场景中，STP3N80K5能够游刃有余地承担起关键开关任务。其TO-220封装提供了优异的通孔安装便利性和强大的散热能力，确保在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，功率耗散高达60W。这意味着无论是面对复杂的工业环境还是要求苛刻的消费电子应用，它都能提供持久可靠的性能保障，有效延长终端产品的使用寿命，减少维护成本。

选择STP3N80K5，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的质量与信心。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计变得更加轻松，有助于降低开关损耗，提升整体系统频率和功率密度。对于寻求稳定供应链和专业技术支持的客户，通过我们ST一级代理进行采购，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能享受到从选型到应用的全方位技术支持服务。让STP3N80K5成为您下一个成功项目的坚实基石，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP3N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务的“心脏”吗？STP3N80K5正是为您而来！这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和2.5A的连续电流能力，专为要求苛刻的高压应用设计。它能让您的电源或电机驱动系统运行得更稳定、更高效。

其核心价值在于卓越的性能参数：极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则让开关速度更快、损耗更低。配合TO-220封装出色的散热特性，它能让您轻松应对功率转换中的热挑战，显著提升系统整体能效和可靠性，是您打造高性能、长寿命产品的理想选择。